SJ 50033.46-1994 半导体分立器件.2CZ59型硅整流二极管详细规范
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ID： |
DA5B389EA07A486A8531373699026567 |
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文件大小(MB)： |
0.4 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.46^94,半导体分立器件,2CZ59型硅整流二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2cz59,silicon rectifier diode,1994-09-30 发布1994.12.01实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CZ59型硅整流二极管,详细规范,Semictnductor discrete device,Detail specification for type 2CZ59,silicon rectifier diode,SJ 50033-46-94,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2CZ59型硅整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等极,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件 第2部分 整流二极管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端涂层,器件表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中规定（见6.3条）,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,SJ 5003^.46-94,3.2.2 器件结构,在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构,w,C1-01C,min nom max,A 12.70,虹） 20.16,犯16.94,跖2 9.52,E 17.0,F 2.93 5.08,J 25.4￠1,イM,
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